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学术报告

浙江大学 赵毅教授:高迁移率沟道材料CMOS器件与工艺
2015-06-10 00:00   审核人:

报告题目:高迁移率沟道材料CMOS器件与工艺报告人:赵毅 教授 博士生导师

报告时间:2015年6月12日(星期五)上午10:30—11:30

报告地点:南山校区1号楼411室

报告人概况:赵毅,男,1977.8,博导,教授,IEEE 高级会员(Senior Member)。1996年9月-2000年7月 南京航空航天大学 本科2000年9月-2003年7月 浙江大学 硕士2004年10月-2007年9月(日本)东京大学 博士。 多年在日本东京大学,美国IBM国际半导体研发联盟/Globalfoundries企业从事先进集成电路器件与工艺方面的研究。目前的研究方向主要包括:1)新沟道材料CMOS器件,包括锗,III-V族化合物等;2)高性能应变(硅,锗,III-V,GOI等)CMOS器件;2)纳米级CMOS低功耗静态随机存储器(SRAM)电路;3)用于先进CMOS器件的高介电常数(k)栅极介质;4)纳米CMOS器件与工艺的可靠性。他已多次在国际电子器件领域的权威会议IEEE IEDM(2007(邀请报告), 2008)和VLSI Symposium(2009, 2010)上报告研究成果,以第一编辑在权威杂志上发表多篇论文,包括:IEEE Transaction on Electron Devices, IEEE Electron Device Letters,Applied Physics Letters等。

目前担任国家“973” 项目课题(面向16纳米新型低功耗集成电路材料基础研究)的课题负责人。

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